Самсунг запустила массовое производство eUFS-памяти 512 ГБ

Компания объявила о старте производства 512-гигабайтный UFS-чипов, которые будут использовать в мобильниках «нового поколения».

По утверждению Джесу Хана (Jaesoo Han), исполнительного вице-президента подразделения Memory Sales & Marketing компании Самсунг, новые модули памяти дозволят справиться вероятные ограничения производительности системы, которые появляются при использовании карт формата microSD. Память типа eUFS в таком объеме выпускается в первый раз в индустрии, и Самсунг сообщила, что планирует использовать ее в собственных телефонах и планшетах следующего поколения. Состоящая из 8-ми 64-слойных чипов V-NAND с 512 ГБ и чипа контроллера, все они собраны совместно, новая 512-битная UFS от Самсунг удваивает плотность прошлых 48-уровневых 512-дюймовых eUFS на базе V-NAND от Самсунг на том же объеме, что и 256 ГБ пакет. Ёмкости в 512 Гбайт хватит для хранения обширной коллекции мультимедийных материалов — фильмов, видеоклипов, изображений высокого разрешения и пр. Кроме того, благодаря высокой производительности накопители обеспечат поддержку самых требовательных приложений.

Память 512 ГБ eUFS от Самсунг также отличается высокой скоростью чтения и записи.

Что касается показателя IOPS (операций ввода/вывода в секунду), то при произвольном чтении он доходит 42 тыс., при различной записи — 40 тыс. Видеоролик разрешением 1920 х 1080 пикселей размером 5 ГБ будет скопирован приблизительно за 6 секунд.

Samsung начала производство модулей памяти для мобильных устройств на 512 Гбайт

Поделиться в соц. сетях:

Опубликовать в Google Buzz
Опубликовать в Google Plus
Опубликовать в LiveJournal
Опубликовать в Мой Мир
Опубликовать в Одноклассники
Опубликовать в Яндекс